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                存储芯片成半导体最景气赛道,国产化比例无望减速提拔
                科创板日报 宋子乔
                06/10
                我国存储芯片市场范围无望在2024年打破500亿美元。作为环球存储芯片最大的市场,我国国产化率却缺乏5%。
                本文来自于“科创板日报”,作者:宋子乔,投融界经受权公布。

                在经济苏醒和数字经济转型驱动下,存储芯片正生长为半导体行业最景气的子赛道。

                据天下半导体商业统计构造(WSTS)预估,往年环球半导体产值将达5272亿美元,将生长19.7%;存储芯片产值将生长31.7%,增幅将高居第一。WSTS预期,2022年环球半导体产值可望进一步达5734亿美元,将再生长8.8%;存储芯片产值将生长17.4%,增幅仍将高居第一。

                供需告急态势连续至Q3

                行业迈入生长周期

                客岁以来,5G、消耗电子、AI、物联网等市场疾速开展,叠加疫情下居家办公、远距学习形式,存储需求大幅拉高,推进存储器财产继续生长。


                DRAM和NAND Flash是增长最快的两个细分范畴。DRAM存储芯片卑鄙以挪动端为主,包罗手机和条记本电脑,占比超越60%。而NAND Flash通常被用来保管少量数据。其卑鄙使用范畴是有大范围数据存储需求的企业、数据中央。

                由于卑鄙需求向好叠加晶圆产能告急,这两种产物均处于跌价景气周期中。据市场研讨机构TrendForce集邦征询估计,DRAM价钱往年一季度的现货价钱已同比增幅在18~23%之间,NAND Flash涨幅则在5~10%。

                供需告急配景下,多家机构预测跌价仍将继续。

                TrendForce克日公布陈诉称,受各终端买方于往年上半年积极备库存的动员,使得存储器原厂库存处于低水位,DRAM原厂均匀库存仅3~4周;NAND Flash供给商均匀库存则为4~5周。

                面临第三季效劳器客户欲增强推销力道,原厂针对各种存储器产物报价并无贬价求售的须要性,故TrendForce预估,供需告急的态势将连续至三季度,Q3全体DRAM价钱将续涨约3~8%;NAND Flash则受enterprise SSD及wafer需求攀升,全体价钱季涨幅将由原先的3~8%,上调至5~10%。

                临时来看,市场调研机构IC Insights估计,环球存储芯片市场将继续4年高景心胸,2020-2025年环球存储芯片市场年复合增长率将达10.6%。存储芯片贩卖额估计将在2022年打破1800亿美元,超越2018年的汗青最高记录,并将在2023年到达下一个周期峰值。

                存储财产链国产化比例无望减速提拔

                据川财**研报,我国存储芯片市场范围已从2015年的45.2亿美元增长至2020年的183.6亿美元,估计2024年将打破500亿美元。

                但是,我国的存储器范畴里国际企业到场度很低,作为环球存储芯片最大的市场,我国国产化率却缺乏5%。在半导体存储器制造范畴,仅有局部IC晶圆代工、封测厂商提供大批的效劳。

                现在,我国出台了一系列财产政策,如《“十三五”国度战略性新兴开展财产开展计划》、《国度信息化开展战略大纲》、《中国制造2025》等,鼓舞、支持整个半导体存储行业的开展。国度集成电路财产基金也曾屡次夸大支持集成电路财产龙头企业的开展,将更鼎力度地支持集成电路制造业和特征集成电路开展,重点推进存储行业内的亚博体育app苹果版。

                该机构剖析师孙灿表现,在国度层面政策利推进下,存储财产链国产化比例提拔将继续减速。

                详细来看,DRAM芯片制造端,方正**剖析师陈杭4月3日公布研报称,短期内我国DRAM自主替换最大的盼望便是合肥长鑫;兆易创新为合肥长鑫的联系关系方,正从市场范围较小的NOR Flash向DRAM拓展。其首款自有品牌4GbDDR4产物GDQ2BFAA系列现已量产,这标记着兆易创新正式入局DRAM这一主流存储市场;紫光国微是国际抢先的集成电路设计企业,主业涵盖集成电路业务和晶体业务,成熟的DDR3模组系列产物让公司成为国产DRAM存储器次要供给商。

                NAND Flash方面,长江存储已宣布128层NAND Flash产物曾经研发乐成;北京君正的存储芯片产物涵盖SRAM、DRAM、NOR Flash和NAND Flash等。

                封装关键,深科技封测产物次要包罗DDR3、DDR4,LPDDR3、LPDDR4、eMCP、USB、eMMC、ePOP、SSD、3DNAND以及Fingerprint指纹芯片等,并具有wBGA、FBGA、LGA等封测技能。

                版权声明 本文经受权公布,不代表投融界态度。如若转载请联络原作者
                存储 芯片 半导体
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